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吉仓低温CVD石墨烯生长系统

吉仓低温石墨烯生长系统

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吉仓纳米科技有限公司根据多年生长石墨烯膜的经验研发出的低温石墨烯生长系统,可实现500~800℃低温生长。吉仓纳米可以提供石墨烯膜的生长培训。
吉仓低温石墨烯生长系统配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

开启式真空管式炉 JC-1200C-SL-PECVD
炉管尺寸:外径φ100(可选)
加热元件:电阻丝(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加热区长度:440mm
恒温区长度: 200mm(±1℃)
工作温度:1100℃
最高温度:1200℃
控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能
控温精度:±1℃
升温速度:20度/分钟
炉门结构:开启式
工作电源:AC220V /50HZ
额定功率:3KW
射频电源
信号频率 13.56 MHz±0.005%
功率输出范围 5W-500W
最大反射功率 200W
射频输出接口 50 Ω, N-type, female
功率稳定度 ±0.1%
谐波分量 ≤-50dbc
供电电压 单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ
整机效率 >=70%
功率因素 >=90%
冷却方式 强制风冷
压力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/

供气系统(品牌: JCNO
GMF-3Z
连接头类型:双卡套不锈钢接头。
标准量程(N2):50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar);
准确度:±1.5%
线性:±0.5~1.5%
重复精度:±0.2%
响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec
工作压差范围:0.1~0.5 MPa
最大压力:3MPa
接口:Φ6,1/4''mm
显示:液晶触摸屏控制,无纸记录。
工作环境温度:5~45高纯气体            
内外双抛卫生级不锈钢管:316L,Φ6mm
 
低真空机组(品牌: JCNOVAU-02
技术参数:
空气相对湿度≤85%,
工作电电压:220V±10%  50~60HZ
功率:1千瓦
抽气速率:4L\s
极限真空:4X10-2Pa
实验真空度:1.0X10-1Pa
容油量:1.1L
进气口口径:KF25
排气口口径:KF25
转速:1450rpm
噪音:50dB

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