二维（2D）材料的异质结构已经被广泛研究，并且在2D系统中已经揭示了许多重要的结果。然而，电荷密度波（CDW）系统与其他电子材料相结合的性质尚未得到充分的研究。在这里，将1T-TaS₂的CDW特性纳入石墨烯中的电子输运。在CDW相变过程中，在石墨烯内观察到异常输运行为，这与1T-TaS₂中相关无序的形成密切相关。特别地，相称的CDW形成具有电势波动的周期性电荷分布，从而构成相关的带电杂质，这导致石墨烯中电阻率的降低。CDW石墨烯异质结构系统的演示有助于理解与CDW系统的组合，并为控制石墨烯的温度相关电阻率和开发有用的功能电子设备（如基于石墨烯的传感器和存储设备）铺平了道路。

 
图1.（a）单层石墨烯在1T-TaS₂下的示意图。（b） 霍尔棒图案中蚀刻的石墨烯/1T-TaS₂异质结构的光学图像。红线和黑线分别表示1T-TaS₂和单层石墨烯。图示了四探针测量连接。（c） 石墨烯层上1T-TaS₂结构的示意图，具有不同的温度相关相：CCDW（左）、NCCDW（中）和ICCDW（右）。（d） 1T-TaS₂电阻率的温度依赖性（上图）、石墨烯/1T-TaS2异质结构（上图）和提取的石墨烯电阻率（下图）。蓝（红）线表示冷却（升温）的过程。实验在Vg=0 V（20 K时载流子密度n=1.62×1013 cm^–2）下进行。

 
图2:（a）与栅极相关的电阻率曲线，在升温过程中温度范围从100到300 K。（b） 与栅极相关的电阻率曲线，在升温过程中温度范围为310至370K。

 
图3. 石墨烯电阻率的提取和模拟结果。a.圆圈是在升温过程中，在载流子密度n=1.62×10¹³ cm^–2的情况下，从石墨烯/1T-TaS₂异质结构中提取的石墨烯电阻率作为温度的函数。实线表示我们通过带电杂质（橄榄色）、声学声子（蓝色）和总量（红色）计算的模拟结果。

 
图4. 石墨烯/1T-TaS₂异质结构中的磁阻测量。（a） 石墨烯/1T-TaS²异质结构的电导率σ_xx与60 mK下的栅极电压和垂直磁场的二维图。
 
       相关研究成果由成均馆大学 Euyheon Hwang和韩国高级科学技术研究院Sungjae Cho等人2024年发表在ACS Applied Electronic Materials (链接: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01560)上。原文：Effect of Charge Density Wave on the Electronic Transport in Graphene

转自《石墨烯研究》公众号