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Graphenea石墨烯场效应晶体管mGFET-4P

4*4芯片，用于传感应用，也与液体介质中的测量兼容。


·生长方法：CVD合成
·聚合物辅助转移
·模具尺寸：4 mm x 4 mm
·切屑厚度：525μm
·每个芯片的通道数：28
·栅极氧化物厚度：90 nm
·栅极氧化物材料：SiO2
·衬底电阻率：1-10Ω·cm
·金属化：Au触点
·封装：200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯场效应迁移率：>1000 cm2/V.s
·狄拉克点（PBS中的液体门控）：<1 V
·收益率：>75%

资料下载：Graphenea mGFET_4x4P (jcno.net)

价格：6000元/盒，4片/盒
jc@jcno.net
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